买卖IC网 >> 产品目录43037 >> IPB65R280C6 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263 datasheet 分离式半导体产品
型号：

IPB65R280C6

库存数量：1,977
制造商：Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IPB65R280C6 PDF下载
标准包装 1
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 13.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 280 毫欧 @ 4.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 440µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 950pF @ 100V
功率 - 最大 104W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263
包装 标准包装
其它名称 IPB65R280C6DKR
相关资料
属性
链接
代理商 IPB65R280C6
IPB65R280E6
IPB65R310CFD
IPB65R310CFDA
IPB65R310CFDAATMA1
IPB65R380C6
供应商
公司名
电话
深圳市英科美电子有限公司 0755-23903058 张先生
无锡固电半导体股份有限公司 15961889150 张小姐
深圳市华芯盛世科技有限公司 0755-83225692 唐先生
深圳市中平科技有限公司 0755-83946385 赖先生
深圳市华芯源电子有限公司 15019275130 张小姐
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129911934（手机优先微信同号） 史仙雁
深圳市源运电子商行 15913992480 林先生
上海住歧电子科技有限公司 17355301595 徐方
北京耐芯威科技有限公司 010-62104931 刘先生
深圳市华雄半导体（集团）有限公司 18988598856 雷精云
  • IPB65R280C6 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 3.972 3.972
    10 3.5736 35.736
    25 3.24288 81.072
    100 2.91216 291.216
    250 2.64744 661.86
    500 2.316504 1158.252